آی سی فلش CY62256NLL

490,000 ریال

آی سی CY62256NLL

حافظه فلش

استفاده شده در ایسیو های :

زیمنس بایفیول

کروز بایفیول

SSAT  تک و دوگانه 

جزئیات بیشتر این محصول را در بخش اطلاعات بیشتر مطالعه کنید.

جهت دریافت لیست قیمت و مشاوره تماس بگیرید:

02634449460

09129372384

5 قلم

49000 امتیاز وفاداری با خرید این محصول دریافت میکنید

شما نمیتوانید بیش از 5 محصول را با هم مقایسه کنید
محصول با موفقیت به لیست مقایسه افزوده شد
آی سی فلش CY62256NLL

آی سی فلش CY62256NLL یک رم استاتیک و در ایسیو موتور زیمنس بایفیول و همچنین SSATاستفاده میشود.

 SRAM یک نوع حافظه RAM است که مثل حافظه های رم دیگر یک نوع حافظه فرار یا volatile است و این یعنیبا رفتن برق حافظه اطلاعات موجود در آن نیز حذف میشود. در یک SRAM هر بیتی که داده در آن ذخیره می شود از چهار یا شش عدد ترانزیستور تشکیل شده است که با همدیگر تشکیل یک flip-flop را می دهند. همچنین ترانزیستور های دیگری نیز در این نوع حافظه وجود دارد که دسترسی خواندن و نوشتن به سلول های موجود در برای ذخیره سازی داده را کنترل می نماید. شاید قبلا یک SRAM ساده از شش عدد ترانزیستور برای ذخیره سازی هر بیت داده استفاده می کرد اما امروزه SRAMهایی هستند که می توانند از 8 یا 10 یا بیشتر از این تعداد ترانزیستور برای ذخیره سازی یک بیت داده استفاده کنند. وقتی تعداد ترانزیستورها کاهش پیدا می کند اندازه سلول های حافظه هم ککم میشود ، هر کدام از سلول های موجود در یک SRAM می توانند در سه حالت قرار داشته باشند که به ترتیب Read و Write و حالت Standby می باشد. یک سلول زمانی در حالت Read قرار می گیرد که درخواستی به آن ارسال می شود و زمانی در حالت Write قرار می گیرد که داده های موجود در آن تغییر کرده باشند ، سلول در زمانیکه از آن استفاده نمی شود در حالت Standby قرار می گیرد.

مشخصات آی سی فلش CY62256NLL:

ایران خودرو, سایپا
پژو 405, پارس, سمند, رانا, روآ, پیکان وانت, آریسان
پراید, تیبا, ریو
موتور
Siemens, Crouse, SSAT
دوگانه سوز
دوگانه سوز
دوگانه سوز, تک سوز
رم استاتیک SRAM
SOIC
28
CYPRESS
256K (32K x 8) Static RAM

 

The CY62256NLL is a high performance CMOS static RAM organized as 32K words by 8 bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW chip enable (CE) and active LOW output enable (OE) and tristate drivers. This device has an automatic power down feature, reducing the power consumption by 99.9 percent when deselected. An active LOW write enable signal (WE) controls the writing/reading operation of the memory. When CE and WE inputs are both LOW, data on the eight data input/output pins (I/O0 through I/O7) is written into the memory location addressed by the address present on the address pins (A0 through A14). Reading the device is accomplished by selecting the device and enabling the outputs, CE and OE active LOW, while WE remains inactive or HIGH. Under these conditions, the contents of the location addressed by the information on address pins are present on the eight data input/output pins.The input/output pins remain in a high impedance state unless the chip is selected, outputs are enabled, and write enable (WE) is HIGH.

 

Features:
  • Temperature Ranges
        - Commercial: 0°C to 70°C
        - Industrial: –40°C to 85°C
        - Automotive-A: –40°C to 85°C
        - Automotive-E: –40°C to 125°C
  • High Speed: 55 ns
  • Voltage Range: 4.5V to 5.5V Operation
  • Low Active Power
        - 275 mW (max)
  • Low Standby Power (LL version)
        - 82.5 μW (max)
  • Easy Memory Expansion with CE and OE Features
  • TTL-Compatible Inputs and Outputs
  • Automatic Power Down when Deselected
  • CMOS for Optimum Speed and Power